简介： 本发明公开了一种制备半导体样品的方法,包括:(a)提供前端器件结构,前端器件结构上具有金属间介电层,金属间介电层中具有大马士革结构;(b)在大马士革结构中和金属间介电层上形成金属层,金属层高于金属间介电层;(c)对步骤(b)形成的结构进行减薄处理,形成半导体样品。采用本发明的方法来制作具有大马士革结构的TEM观察样品,能够有效解决传统工艺中的TEM观察样品减薄处理后其结构发生扭曲变形的问题,提高制备具有大马士革结构的TEM观察样品的可靠性和准确性,进而提高通过其观测结构所进行的失效分析的准确性和可靠性。并且本实施例的方法实施难度小、实施成本较低,具有很高的实用性。