简介： 本发明公开了一种锗锑碲GST样品的处理方法,所述样品为在刻蚀氧化硅层形成的沟槽内填充GST的样品,在处理之后用于扫描电子显微镜下测试,所述样品处理在反应腔内利用物理溅射方法进行,所述反应腔内加速电压为2.5～4千电子伏;电流为80～120微安;通入反应腔内的气体为氩气。采用该方法能够为失效分析提供准确的工艺参数。