简介： 本发明提供一种叉指状栅GOI结构失效点定位方法，包括：提供集成电路芯片样品；逐层剥离集成电路各层直至暴露出源极/漏极接触顶部；刻蚀去除源极/漏极接触中的导电材料；采用电压衬度分析法，利用聚焦离子束(FIB)切割的方法，逐步定位栅极氧化层的失效点。通过去除源极/漏极接触中的导电金属，有效规避了FIB切割时源极/漏极接触(S/D CT)对电压衬度的干扰，进而实现栅极氧化层的漏电点(失效点)的精确定位，提高栅极氧化层可靠性失效分析的成功率。