简介： 本发明涉及半导体失效分析技术领域，尤其涉及一种栅氧化层漏电点的定位方法，应用于一包括栅氧化层的半导体结构，所述栅氧化层上方沉积有多晶硅栅、硅化物层和金属互连层，且所述栅氧化层中包括一个或多个漏电点，所述定位方法包括：步骤S1，对所述半导体结构进行漏电点粗定位，以在所述栅氧化层上方定位出包括所述失效点的热点区域；步骤S2，去除所述金属互连层和所述硅化物层，以暴露所述多晶硅栅；步骤S3，对应所述热点区域在所述多晶硅栅上方形成金属层区域；步骤S4，采用电压对比工艺对所述多晶硅栅上方的所述金属层区域进行测试，正对所述漏电点的所述金属层区域在所述电压对比工艺下呈现高于其他区域的亮度，从而定位出所述漏电点。