简介： 本发明提出一种平面TEM样品的制备方法，包含制备样品，使样品的断面的截面到达目标区域附近，切割样品到露出Poly层，湿法腐蚀，去除Poly，制备第一切割面，切割样品，在衬底内部制备第二切割面，最后完成平面TEM样品。本发明为制备观测多晶Poly下方的栅氧化层缺陷和硅衬底位错的TEM分析提出了一种基于现有技术的新方法，通过腐蚀Poly即可以去除Poly晶格对TEM观测的影响，又可以利用腐蚀剂对衬底的腐蚀准确定位栅氧化层中的缺陷。采用本发明方法能提高该类失效分析的质量和成功率。