简介:
本发明涉及一种封装结构的解剖、重现方法,包括以下步骤:切割单元对电子元件封装结构从该结构的某表面进行切割;清洗单元对切面进行清洗;结构形貌探测单元对该面扫描得到切面的二维图像;化学成分探测单元扫描该切面得到切面中某些点的化学元素成分;计算机根据二维图像得到多个切面的二维几何模型;通过拉伸和堆叠形成电子元件封装结构的三维几何模型;再根据各切面中某些点的化学元素成分形成电子元件封装结构的三维模型。本发明能够实现电子封装3D结构的精确解剖和重现,有效提高了电路结构分析、故障定位和失效分析的效率。
本发明涉及一种封装结构的解剖、重现方法,包括以下步骤:切割单元对电子元件封装结构从该结构的某表面进行切割;清洗单元对切面进行清洗;结构形貌探测单元对该面扫描得到切面的二维图像;化学成分探测单元扫描该切面得到切面中某些点的化学元素成分;计算机根据二维图像得到多个切面的二维几何模型;通过拉伸和堆叠形成电子元件封装结构的三维几何模型;再根据各切面中某些点的化学元素成分形成电子元件封装结构的三维模型。本发明能够实现电子封装3D结构的精确解剖和重现,有效提高了电路结构分析、故障定位和失效分析的效率。