简介： 本发明公开了一种塑封光耦解剖方法，通过X射线检查塑封光耦的内部结构，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除，对塑封光耦的发光部分和接收部分进行分离，然后采用浓硫酸浸泡的方式，去除芯片表面的导光胶，实现失效分析以及DPA工作中的键合强度及芯片粘接分析工作。使得光耦解剖后，框架完整、芯片粘接及键合完整，可有效扩展塑封光耦的分析能力，即立体结构的塑封光耦也可进行键合强度试验及芯片粘接分析。