简介： 本发明提供一种用于砷化镓半导体的结染色溶液及其结染色方法，所述结染色溶液包括由重量比值为1.5～4的硫酸(H2SO4)和过氧化氢(H2O2)组成，并在40～60℃的温度范围下混合制成的第一溶液，以及由重量比值为0.5～7的柠檬酸(C6H8O7)和过氧化氢(H2O2)组成，并在5～20℃的温度范围下混合制成的第二溶液。借此，利用第一溶液、第二溶液进行二次选择性蚀刻，以克服现有结染色溶液一次性蚀刻所导致的反应过激问题，并完成砷化镓半导体的结染色操作，且通过本发明结染色方法能够使砷化镓半导体的掺杂区域显现，并于光学显微镜与扫描式电子显微镜下皆可观测出明显轮廓，利于进行半导体的失效分析。