简介： 本发明涉及一种区分PMOS栅极与源漏极或N阱之间漏电的方法，所述方法包括如下步骤：使用纳米点针对失效PMOS进行2针漏电测试，其中一针扎在栅极上，另一针扎在N阱上，从而测量栅极到N阱是否存在漏电，得到电流‑电压曲线图。如果所述电流‑电压曲线为正比斜线，则栅极与N阱之间存在漏电；如果所述电流‑电压曲线为二极管开启曲线，则栅极到源漏极短路。本发明的区分PMOS栅极与源漏极或N阱之间漏电的新方法，能够解决同类型案例分析技术难题，提高失效分析工作成功率，节约人力成本和机台使用时间。