简介： 本发明公开了一种结合工艺及可靠性框图的电子类单机贮存可靠性评估方法，所述方法通过EDA仿真模型及多物理场耦合模型对电子类单机进行描述，建立电子类单机功能仿真模型，结合厂家调研结果，利用灵敏度分析方法确定影响电子类单机输出特性参数的关键底层单元；然后，对关键底层单元进行失效模式及失效机理分析，结合底层单元工艺数据及加速贮存试验中实测的贮存退化数据，建立具有分布特性的底层单元贮存退化模型；最后，通过可靠性框图对电子类单机结构特征进行描述，并将各底层单元贮存失效率注入其中，完成电子类单机贮存可靠性评估。本发明解决了因进行加速贮存试验时电子类单机样本量过小，而导致的贮存可靠性评估结果准确度较低的问题。