简介： 本发明公开了一种解剖塑封光耦的方法，该方法包括：对塑封光耦进行内部成像；打磨塑封光耦，直至露出光耦隔离片；采用机械应力对塑封光耦进行解剖；去除光耦隔离片；采用腐蚀剂去除芯片表面的导光胶和键合点上残留物；采用有机溶剂对解剖后的塑封光耦进行清洗。本发明以一种简单、高效、低成本、高成功率的方法实现对塑封光耦的解剖，并且保证了器件内部结构完整、器件不会遗失、芯片表面干净，确保塑封光耦器件在失效分析和破坏性物理分析等分析工作中满足使用条件，有效提升了针对塑封光耦的分析能力，能很好满足失效分析中的失效定位分析以及破坏性物理分析中的内引线键合力、芯片剪切力等测试分析工作。