简介： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种提高透射电镜图像质量的平面样品制备方法。首先通过电性测试方法获取失效点位置，之后根据失效点位置于待测样品正面形成第一开口、于待测样品背面形成第二开口；并继续将待测样品放置于沸腾的胆碱配比溶液中保持5-10min，以彻底去除第二开口底部的硅衬底；然后通过刻蚀工艺去除第一开口下方的绝缘层和第二多晶硅层；最后利用透射电镜图像来分析失效点。通过本方法使失效区域多晶硅透射电镜图像不受非缺陷区域的干扰，得到一个较为均匀清晰的待测样品的透射电镜图像，从而更容易发现缺陷，以进一步提高器件缺陷分析的效率。