简介： 本发明公开了一种DRAM的修复方法，包括以下步骤：1)DRAM芯片测试项分类，分为SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项；2)对SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项产生的失效地址分别存储；3)SA缺陷测试项的失效地址分析并进行修复；4)将步骤2)中DRAM的其它测试项产生的失效地址和按照步骤3)处理后的SA缺陷测试的失效地址进行合并；5)对合并后的失效地址进行读取；6)对读取的失效地址进行修复；6)最后产生DRAM修复方案。通过分析SA缺陷测试项的失效地址的处理及修复，将开放式位线DRAM结构中有潜在缺陷的SA同时替换，有效保证了颗粒级测试良率的稳定，使得芯片修复可靠性的提升，同时降低了芯片的DPM。