简介： 一种集成电路贮存使用薄弱环节识别及工艺改进方法，包括以下步骤：对集成电路贮存使用环境进行分析，确定贮存使用过程中使用年限主要影响因素；分析主要影响因素作用下的失效模式和失效机理；根据贮存使用环境以及失效模式、失效机理的分析结果，确定对集成电路进行加速寿命试验所需要的应力，对集成电路进行加速寿命试验；在加速寿命试验的过程中，选择测试节点对集成电路性能参数进行测试，并抽样进行质量分析，如果失效，则进行失效分析；根据加速寿命试验结果判断贮存使用年限是否满足要求，如果不满足要求，则对贮存使用薄弱环节进行识别；根据识别出的薄弱环节针对相应制造工艺进行改进。本发明能够有效提升产品的质量和贮存使用可靠性。