焦平面阵列倒装互连工艺方法及焦平面阵列探测器
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焦平面阵列倒装互连工艺方法及焦平面阵列探测器
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简介: 本发明提供了一种焦平面阵列倒装互连工艺方法及焦平面阵列探测器,所述工艺方法包括S1,在焦平面阵列芯片设置有金属电极的一侧表面上涂布各向异性导电胶;S2,将涂布有各向异性导电胶的焦平面阵列芯片放置在加热板上以对各向异性导电胶进行预固化处理;S3,将预固化处理后的焦平面阵列芯片与带有导电金属柱的读出电路通过热压焊接进行倒装互连、并使导电金属柱与焦平面芯片上的金属电极通过各向异性导电胶电连接。固化后的各向异性导电胶起到机械支撑作用、在垂直方向上实现了金属电极与导电金属柱之间的电导通、在水平方向上实现了相邻金属电极、相邻导电金属柱之间的电绝缘,由此避免了相邻两个像元电连接而发生短路失效。
本发明提供了一种焦平面阵列倒装互连工艺方法及焦平面阵列探测器,所述工艺方法包括S1,在焦平面阵列芯片设置有金属电极的一侧表面上涂布各向异性导电胶;S2,将涂布有各向异性导电胶的焦平面阵列芯片放置在加热板上以对各向异性导电胶进行预固化处理;S3,将预固化处理后的焦平面阵列芯片与带有导电金属柱的读出电路通过热压焊接进行倒装互连、并使导电金属柱与焦平面芯片上的金属电极通过各向异性导电胶电连接。固化后的各向异性导电胶起到机械支撑作用、在垂直方向上实现了金属电极与导电金属柱之间的电导通、在水平方向上实现了相邻金属电极、相邻导电金属柱之间的电绝缘,由此避免了相邻两个像元电连接而发生短路失效。
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