简介： 本发明提供了一种浮栅回刻的深度的测试方法，包括：提供衬底；在所述衬底上分别形成第一隔离层和第二隔离层；在所述第一隔离层上形成浮栅多晶硅，刻蚀浮栅多晶硅形成浮栅，所述浮栅呈条状结构；在所述浮栅和所述第二隔离层上形成ONO层；在所述ONO层上沉积控制栅多晶硅，刻蚀控制栅多晶硅形成控制栅，所述控制栅呈条状结构，所述浮栅和所述控制栅形成叉指结构；使用如下公式计算浮栅回刻的深度；在本发明浮栅回刻的深度的测试方法中，利用叉指结构的数目、叉指结构的长度和ONO厚度就可以在不切片的情况下获得浮栅的回刻深度，减少存储单元失效的几率，提高芯片的良率，并且与现有工艺兼容，无需开发新制程，不需要额外的掩膜版。