简介： 本发明提供一种用于测试SRAM周期时间的电路及方法，包括连接SRAM的地址循环移位寄存器、数据循环移位寄存器以及控制循环移位寄存器，可利用各个循环移位寄存器中预先配置的初始值和后续输入的时钟脉冲信号，来直接产生下一个测试用的地址信号、数据信号以及控制信号，无需通过复杂的算法和逻辑计算，电路结构简单，测试速度快，能够大大缩短半导体集成电路的整体测试时间；同时循环移位寄存器的设置避免了现有技术中由于SRAM外围的BIST电路先失效而导致测试失误的问题。