简介： 本实用新型公开一种MSM型金刚石快中子探测器的设计，该探测器包括底层和顶层Ti/Al欧姆接触电极层，金刚石单晶层，Si3N4绝缘层,SiO2钝化层，PCB板，铝线，导电银浆和SMA接头。通过SMA接头引出探测器与后级电子学的连接，收集快中子与金刚石产生的电荷。在顶层电极的表面沉积了一层SiO2钝化层，防止器件机械性损伤，有助于表面沾污时清洗，保护水汽环境中器件失效。Ti/Al金属的厚度为50/800nm。由于金刚石是目前已知的半导体材料中最耐辐照耐高温的材料，且金刚石中的12C与快中子能直接发生核反应，本专利设计可应用于快中子的探测，如中子能谱测量、计数、束流监测和位置分辨等。