简介： 本发明公开了一种IGBT模块内部芯片结温测试方法，该测试方法为：首先将IGBT芯片焊接在覆铜的陶瓷基板上，然后在IGBT芯片旁设定距离处焊接一个二极管芯片，二极管芯片的上表面是阳极，下表面是阴极；通过铝线键合方式，将二极管芯片的两个电极引出到陶瓷基板的覆铜层上，然后覆铜层再通过铝线键合方式引出到外接的二极管芯片阳极端子和阴极端子上；通过测量电路获得所述二极管芯片阳极端子和阴极端子之间的管压降，根据二极管的正向导通压降值和温度的线性关系计算出二极管芯片的温度，进而表征所述IGBT芯片的温度。本方法中由于二极管芯片非常靠近IGBT芯片，温度的反馈会更精准快速，避免了IGBT模块由于瞬间温升情况而引起的失效情况的发生。