简介:
本发明提供了一种闪存HTOL测试方法,包括:提供待测闪存,所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元;所述闪存参考单元中捕获有空穴,所述空穴在HTOL测试过程中存在丢失;对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行HTOL测试,所述引入电子在所述HTOL测试过程中存在丢失,以对HTOL测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。降低了闪存参考单元的输出电流Iref的偏移量,从而使闪存HTOL读“0”通过,解决了闪存HTOL测试中读点失效的问题,提高闪存质量。
本发明提供了一种闪存HTOL测试方法,包括:提供待测闪存,所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元;所述闪存参考单元中捕获有空穴,所述空穴在HTOL测试过程中存在丢失;对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行HTOL测试,所述引入电子在所述HTOL测试过程中存在丢失,以对HTOL测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。降低了闪存参考单元的输出电流Iref的偏移量,从而使闪存HTOL读“0”通过,解决了闪存HTOL测试中读点失效的问题,提高闪存质量。