简介： 本发明公开了一种SiC MOSFET浪涌性能的测试方法。将场效应管器件放置在测试探针台上，连接浪涌电流产生电路和驱动电路，设置输出电流幅值和周期并施加到场效应管器件进行浪涌测试，测量得到不同幅值浪涌电流下的源漏电压、经过浪涌测试后器件的栅源电阻以及浪涌测试前和浪涌测试后的转移特性曲线，转移特性曲线的横纵坐标分别为源漏电压和漏极电流；利用浪涌电流产生电路产生浪涌电流，在浪涌电流通过器件后，器件在电学特性上会发生变化，根据电学特性的变化来判断器件是否失效。本发明提供了一种简单可靠的测试SiC MOSFET浪涌可靠性的方法，可有效得到SiC MOSFET场效应管器件的浪涌性能和数据。