简介： 本发明设计半导体制造领域，尤其涉及一种金属电迁移测试结构。测试结构分为电迁移被测结构、电迁移阻挡结构、测试端口和探测端口。电迁移被测结构与电迁移阻挡结构相连，位于测试端口之间。测试结构具有三个探测端口，其中两个探测端口用来精确的确定电迁移被测结构是否失效，另一个探测端口用来探测精确的电迁移被测结构的温度，从而提升测试的准确度。