简介： 本发明提供了一种存储器芯片上测试单个比特的方法，包括步骤：提供存储器芯片，将所述存储器芯片减薄到目标比特的字线层；在所述字线层的栅极上形成导电层；提供测试信号给所述导电层，通过探针测试单个比特的电气特性。在本发明提供的存储器芯片上测试单个比特的方法中，首先将存储器芯片减薄到字线层，暴露出字线层的栅极，在栅极上形成导电层，然后通过给所述导电层提供测试信号，可实现将所有连接导电层的栅极打开，再通过探针测试单个比特的电气特性，完成存储器芯片上单个比特的失效测试。