简介： 本发明属于测量技术领域，具体涉及一种大尺寸芯片翘曲度测量方法。具体通过伽马射线辐射大尺寸芯片，由闪烁探测器接收经芯片反射的光子并倍增后通过计数装置得出光子数，然后转换成电压V。然后以一定速度v水平移动芯片，通过光子数转换得到V(t)，由相关参数及模型相互结构关系换算出芯片平面翘曲信息，得到芯片翘曲度。本发明具备如下有益效果：(1)伽马光子动态测量精度高，得到的结果更为精确可靠；(2)测量过程中不会触碰芯片，因此不会由于测量造成芯片的失效损失；(3)利用伽马光子技术的测量快速有效；(4)排除人为测量误差因素。