简介： 本发明公开了一种晶圆可接受性测试的方法，述方法包括：在所述第一梳状金属线上施加高电压，同时在所述第二梳状金属线上施加中电压，并保持全部的所述多晶硅接地；若测得所述多晶硅的电流超出规格，则表明是所述接触孔和所述多晶硅之间存在泄漏；若测得所述多晶硅的电流未超出规格，则表明是金属线间失效或者是层间介电质孔洞失效；通过本发明的使用，可以在帮助生产线在第一时间发现层间介电质孔洞、接触孔和多晶硅之间的孔洞等工艺缺陷，及时做出调整；并且由于本发明可同时监控多个工艺问题，大大减小了测试结构面积，降低了包含测试在内的生产成本。