简介： 本发明提供了一种高压MOS器件的测试方法,用于测试半导体晶圆上各芯片的高压MOS器件是否失效,包括:在半导体晶圆上任选若干芯片,测试其高压MOS器件;将所述各芯片的高压MOS器件的一极接地,另一极与栅极接测试端;逐步升高在所述测试端施加的测试电压,并同时测量各高压MOS器件对应的源漏电流;所述测试电压的初始值小于所述高压MOS器件的饱和电压;根据所述测试电压以及相应的源漏电流,形成各芯片的高压MOS器件的输出特性曲线;根据所述输出特性曲线判定所述高压MOS器件是否失效。与现有技术相比,本发明采用递增调整测试电压的方式,测试源漏电流,能够避免因寄生效应导致源漏电流过小,而发生错误判定的问题。