简介： 一种3D NAND存储器位线的电阻测试方法，包括：提供失效晶圆，所述失效晶圆包括衬底和位于衬底正面上的3D NAND存储器，所述3D NAND存储器包括若干位线和与每个位线相应连接的若干金属插塞；选取多根位线作为目标位线，将多根目标位线通过金属线路连接；从衬底的背面平坦化所述衬底，直至暴露所述与目标位线连接的金属插塞；对目标位线所对应的金属插塞进行测试，获得目标位线的电阻值。本发明的测试方法可以减小3D NAND存储器位线电阻的测试难度，并且能保证测试的精度。