简介： 本发明涉及一种测试NMOS热载流子注入寿命的方法,包括以下步骤:步骤1、测试系统将测试电压应力加到被测器件的漏极,该测试电压的值为穿通电压的60%～70%之间;步骤2、漏极所加电压应力时的最大基底电流所对应的栅压为栅极电压应力,通入此栅极电压应力,得到被测器件漏极电流的退化图;步骤3、测试系统对步骤2中的数据进行拟合得到被测器件失效时间,当器件退化到5%以上,利用外差推算得到器件的失效时间;然后用公式TTF*Ids=C*(Isub/Ids)m计算热载流子注入的寿命。采用本发明的技术方案可以快速地得到NMOS热载流子注入的寿命,大大缩短测试时间,而且不需要封装晶片,节省了成本。