简介： 本发明公开了一种pMOSFET器件负偏置温度不稳定性寿命预测方法,包括:S1:施加负偏置应力之前,测量pMOSFET器件的初始特性,得到初始器件参数;S2:对该器件的栅极施加应力条件,且漏极电压为正常工作电压,在预设的时间间隔内对该器件进行应力老化测试;S3:对该器件进行参数测试,得到与老化时间相关的器件参数,直至总体应力时间结束;S4:漏极电压为正常工作电压下,重复步骤S2和S3,进行不同应力条件测试,以器件参数退化到临界点为准,得到相应应力条件下pMOSFET器件的失效时间;S5:利用不同应力条件下pMOSFET器件的失效时间,预测栅极电压为正常工作电压条件下的器件可靠性寿命,本发明的方法得到的器件失效时间比常规方法更短,因此更能反映pMOSFET器件的NBTI寿命。