简介： 本发明涉及用于监测集成电路上金属退化的电路。一种集成电路(IC)，具有诸如功率MOSFET的热发生元件、耦合到热发生元件的载流导体、邻近载流导体的感测导体以及耦合到感测导体的失效检测电路。当IC的热循环导致感测导体的电阻变得大于依赖于温度的阈值时，失效检测电路生成信号，该信号指示集成电路将不久失效。由通过将电流注入到感测导体中以生成电压来确定感测导体的电阻。依赖于温度的阈值是通过将电流注入到被布置得远离载流和感测导体的参考导体中所生成的电压。电压比较器比校两个电压以生成输出。替代地，失效检测电路包括处理器，该处理器从在集成电路上采取的温度测量计算依赖于温度的阈值。