简介： 本发明提供一种闪存器件的测试结构及其制造方法，在第一金属互连层制造完成后就可以直接进行字线和控制栅极、字线与位线、位线与位线之间的桥接漏电测试，节约了现有技术中等待第二金属互连层、第三金属互连层的制作时间，同时第一金属互连层与有源区线、字线、控制栅极线之间的连接方式简化了第二金属互连层、第三金属互连层的互连结构，因此能够简化制程，降低失效分析所花费的时间和工艺成本。