简介： 本发明提供一种测量注入层光刻对准偏差的方法，该方法通过获得当第一离子注入区与第二离子注入区处于完全对准状态时的最大击穿电压以及利用本发明提供的测试结构进行正电压扫描获得的测试电流为1mA时的测试击穿电压来计算注入层光刻对准偏差，其中注入层光刻对准偏差＝100％*(最大击穿电压‑测试击穿电压)/最大击穿电压，提高对准偏差测试准确度和敏感度，大大节省失效分析的成本和时间。