简介:
本发明提供一种电介质击穿测试结构,本发明通过在待测试电容结构的漏电流的变化来导通旁路电路,并通过旁路电路的导通来断开整个电路,以避免待测试电容结构的薄弱点在测试过程中发生硬击穿而烧毁,同时待测试电容结构的薄弱点位置可以产生一定的漏电流,使得所述待测试电容结构在测试过程中可以进一步的进行失效分析,从而使得待测试电容结构的缺陷可以被发现,并作出针对性的改善。
本发明提供一种电介质击穿测试结构,本发明通过在待测试电容结构的漏电流的变化来导通旁路电路,并通过旁路电路的导通来断开整个电路,以避免待测试电容结构的薄弱点在测试过程中发生硬击穿而烧毁,同时待测试电容结构的薄弱点位置可以产生一定的漏电流,使得所述待测试电容结构在测试过程中可以进一步的进行失效分析,从而使得待测试电容结构的缺陷可以被发现,并作出针对性的改善。