简介： 本发明涉及一种硅片级金属测试结构电迁移测试中的温度修正方法，它是将实际测试结果进行温度修正，从而得到一个准确的金属电迁移寿命值。采取固定的加速电流，依靠电流产生的热来升高金属测试结构的温度；通过对多个金属测试结构温度的实际测量，取得一组金属测试结构的温度测试数据T1～Tn以及相应的失效时间t1～tn；采取数据归一化的方式，将一组实际测得的金属测试结构的温度值T1～Tn以一个共同的温度值T’作为换算公式的参数，进而得到相应金属测试结构的失效时间t1’～tn’。真正反映特定电流相对应的电迁移加速过程，从而快速准确地外推金属电迁移寿命。