简介： 一种晶圆可接受性测试之击穿电压测试装置，包括放电模块，测试漏电模块，以及用于所述半导体器件在漏电测试模块判定为不短路后进行击穿电压测试的斜坡电压测试平台、返回型测试平台，以及综合型测试平台，其中，所述综合型测试平台通过标志模块的选择，将斜坡电压测试平台和返回型测试平台结合，并建立AIg程式进行测试，同时观测斜坡电压测试平台和返回型测试平台中的数据。本发明所述击穿电压测试结合所述斜坡电压测试和所述返回型测试，同时进行测量，并修改精度和Ibd设定，可准确的判断AIg程式设置的正确性，减少调试时间。同时观测多组数据，使得击穿电压测试结果更具可信性，减少重新测试的必要性，并可直接观测到数据的可靠性与简单结构的失效特点。