简介： 一种预测半导体器件寿命的工作电压的方法：在半导体器件栅端施加应力电压以K倍增加，在应力施加过程中，栅电压在VGstress_ 2和VGmeasure之间循环跳转，漏电压在0和VDmeasure之间循环跳转，当栅电压为VGmeasure，漏电压为VDmeasure时监测漏电流ID；将多次应力下得到的ΔVth等效转换到VGstress_ 1下的阈值电压退化；计算出任意工作电压VG下的等效应力时间；对VG进行遍历，得到失效几率随VG的变化关系；对应特征失效几率的工作电压VG即满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD；根据目标要求的特征失效几率，确定VDD的值。本发明仅用一个半导体器件并且可以快速有效地提取目标要求的失效几率下的10年寿命对应的VDD，提供了纳米尺度半导体器件几率性VDD有效的预测方法。