简介： 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种测量集成电路内部温度的方法，先测出待测电路极限工作温度及ESD接触二极管电压值，得到电压温度变化斜率，随后调节电路的工作温度，记录下失效状态时的电压值，最后算出对应的失效温度，通过采用上述这种测量集成电路内部温度的方法，不用再增加温度测量设备就可以准确得出电路所在的温度，且定位迅速，通过分析测试数据可以直接得出对应的温度，不用每次更换温度进行恒温等待，且通过不同的管脚可以测试出管芯不同位置的温度，从而对大面积的芯片进行定位时更加快速高效。