简介： 本发明涉及存储器失效分析技术领域，尤其涉及一种测试3D NAND字线电阻的方法，包括：步骤S1，将3D NAND减薄至暴露每层字线的第一接触孔和第二接触孔；步骤S2，在所述字线的第一端，形成金属垫覆盖每层所述字线的所述第一接触孔，以将每层所述字线的第一端电连接；步骤S3，在所述字线的第二端，选取一层待测试字线，在所述待测试字线的所述第二接触孔上标记出待测点；步骤S4，使用导电胶将所述金属垫引出至临近所述待测点的位置；步骤S5，选取所述导电胶上临近所述待测点的一量测点，使用探针量取所述量测点与所述待测点之间的电阻值，作为所述待测试字线的所述第一端和所述第二端之间的电阻值。