简介:
本发明公开了一种半导体存储产品的集成式高温测试方法及系统,所述方法包括:通过获得第一半导体存储产品第一材料种类;确定第一正极限温度;设计第一高温试验,包括第一试验方案、第二试验方案;组建第一测试样本集,并划分为第一测试样本、第二测试样本;根据第一试验方案对第一测试样本进行高温处理,获得第一处理结果,根据第二试验方案对第二测试样本进行高温处理,获得第二处理结果;基于预设时间阈值获得第一分析结果,其中包括多个失效样本的分析结果;依次确定多个失效样本的多个失效部位,并分别对多个失效部位进行处理。解决了现有技术中人工对半导体存储产品高温测试存在耗费人力大、测试步骤繁琐,导致测试效率低的技术问题。
本发明公开了一种半导体存储产品的集成式高温测试方法及系统,所述方法包括:通过获得第一半导体存储产品第一材料种类;确定第一正极限温度;设计第一高温试验,包括第一试验方案、第二试验方案;组建第一测试样本集,并划分为第一测试样本、第二测试样本;根据第一试验方案对第一测试样本进行高温处理,获得第一处理结果,根据第二试验方案对第二测试样本进行高温处理,获得第二处理结果;基于预设时间阈值获得第一分析结果,其中包括多个失效样本的分析结果;依次确定多个失效样本的多个失效部位,并分别对多个失效部位进行处理。解决了现有技术中人工对半导体存储产品高温测试存在耗费人力大、测试步骤繁琐,导致测试效率低的技术问题。