简介： 本申请实施例提供一种可控硅耐量测试装置及方法，通过第一控制电路根据设定冲击持续时间和设定冲击间隔时间控制第二控制电路每次输入的电流冲击信号的冲击持续时间和冲击间隔时间。然后，通过第二控制电路按照设定冲击电流幅度向待测可控硅输入电流冲击信号，并记录电流冲击信号的冲击次数。最后，通过回路电流检测电路检测待测可控硅的回路电流信号，并根据回路电流信号显示待测可控硅的回路电流状态。如此，能够基于待测可控硅的回路电流状态分析电流冲击信号的冲击次数，将半导体器件的电流冲击耐受能力进行有效量化，以便于后续准确评估半导体器件的电流冲击耐受能力，进而采取必要手段降低半导体器件的器件失效比例。