简介： 本申请提供一种硅通孔的测试结构及测试方法，所述测试结构包括：半导体衬底；至少一种参考测试单元，位于所述半导体衬底中，用于输出测试数据，包括参考测试沟槽电容组以及硅通孔结构，其中所述参考测试沟槽电容组环绕所述硅通孔结构分布；基准测试单元，位于所述半导体衬底中，用于输出基准数据，包括基准测试沟槽电容组，所述基准测试沟槽电容组与所述参考测试沟槽电容组的结构相同。所述测试结构及测试方法可以监测TSV制备中对介电层产生的工艺影响，通过测试衬底和TSV间的电阻、电容和漏电流大小，来推算TSV隔离层的电性厚度及隔绝能力等性能，有助于制程出现问题时的辅助失效分析。