简介： 本发明公开了一种介质层可靠性测试结构及测试方法，属于半导体技术领域，所述介质层可靠性测试结构包括：衬底，其上设置多个有源区；至少一个待测试介质层，设置在所述有源区上；多晶硅层，设置在所述待测试介质层上；辅助金属结构，设置在所述多晶硅层上，且所述辅助金属结构将所述多晶硅层区分为多种不规则的区域；以及辅助多晶硅结构，设置在所述衬底上，且环绕所述多晶硅层设置。通过本发明提供的一种介质层可靠性测试结构及测试方法，可提高失效分析的准确率和效率。