简介： 本发明公开了一种功率MOSFET的故障预测和健康处理方法及测试系统，具体步骤包括：选择性能特征正常的MOSFET器件作为测试样本，通过测试正常器件在老化过程中漏源极电压，漏极电流，器件外壳温度这三个参数，对测试的数据进行分析并建立以特征参数Rds(on)为基础的先验退化模型E，确定失效阈值，然后利用对实际被检测器件的测试数据对模型E进行训练，修正模型的特征参数，通过计算预测MOSFET器件的剩余寿命，输出健康评估结果，对器件进行健康处理，本发明所提供的功率MOSFET的故障预测和健康处理方法，无需采用大型的测试设备和复杂的实验环境，预测精确度高，预测算法性能稳定，可以大大降低错误预报的概率。