简介： 一种检测栅氧化层完整性的方法,包括:根据目标显著性水平、目标失效数以及目标缺陷密度,获得最小样本数;以大于或等于所述最小样本数的被测芯片样本数,进行斜坡电压测试;对被测芯片是否通过斜坡电压测试进行评估。所述检测栅氧化层完整性的方法能够获得更为经济和准确的测试结果。