简介： 本发明公开了一种光刻机对准性能的检测方法，包括提供待曝光晶圆；制作掩膜板，其具有长方形和迭对标记图案；通过光刻，将掩膜板的长方形及迭对标记图案转移到晶圆上；通过平移非完整曝光单元曝光布局的方法，测量完整曝光单元和非完整曝光单元之间迭对标记的中心偏移量，确定光刻机对非完整曝光单元对准补偿能力的失效边界，以此边界为基准，建立最敏感的检测曝光布局，从而建立更为全面和灵敏的光刻机对准性能的检测方法。