简介： 本发明提供一种检测经平坦化处理的晶片的平坦程度的方法，包括：在形成有金属塞的晶片表面形成金属层，经刻蚀，使其形成多个彼此间隔的金属区；进行平坦化处理；形成金属测试层；局部刻蚀金属测试层，使其形成具有多道弯折的蛇形金属测试区，所形成的蛇形金属测试区位于与金属区间隔处相对应的位置上，并且使蛇形金属测试区的两端分别与未刻蚀的金属测试层连接，形成试样金属测试层；分别检测试样金属测试层和对照金属测试层的电参数，通过两者电参数值之间的接近程度来评估晶片的平坦程度。本发明在制备CMOS器件过程中即可将平坦程度较差的芯片报废，从而避免进行后续的封装测试或者器件在后续应用中失效而带来更大的危害或造成更大的损失。