简介： 一种检测沟槽隔离区空洞缺陷的方法，其包括：在晶圆上参照正常工艺流程完成双栅氧刻蚀；在完成双栅氧刻蚀的所述晶圆表面生长一层氮化硅；对表面生长一层氮化硅的晶圆进行快速热处理；用去热磷酸将晶圆表面氮化硅去除，并通过光学显微镜扫描浅沟槽空洞缺陷的位置；制备所述浅沟槽空洞缺陷的样品并通过透射电镜精确检测浅沟槽空洞缺陷。因此，本发明提供的检测方法简单且高效，其能实时在线检测浅沟槽空洞缺陷并能快速准确的检测到浅沟槽空洞缺陷的位置，从而有效地解决了半导体器件中因存在浅沟槽空洞缺陷而导致CMOS器件失效和良率下降的问题。