简介： 一种采用断面切割腐蚀技术检测硅晶片体内微缺陷的方法，适用于半导体硅衬底片生产厂对硅晶片体内缺陷的检测和控制，及时发现衬底片不良，减少成品器件的失效。本发明采用三次循环湿氧高温热氧化工艺和断面切割技术，使常规检测方法无法探测到的体内缺陷在多次热氧化过程中充分缀饰并长大，然后将氧化后的硅晶片选择表面不同位置切割成宽度为1.5至2.0cm的硅晶片长条（1），经过择优腐蚀后用双面胶将硅晶片长条（1）背面粘接在四氟垫块（2）上，用光学显微镜观察断面（3）形貌，并采用连续扫描法计数微观下的缺陷密度。本发明的检测方法，适合大规模和批量生产的工厂使用。