简介： 本公开提供一种蚀刻缺陷检测方法，涉及半导体技术领域。该检测方法包括：提供衬底，衬底上依次形成有导电层以及介质层；对介质层进行蚀刻处理，以形成沟槽结构；以导电层作为阴极，采用电镀工艺在沟槽结构内填充电镀层，以形成待测产品；采用缺陷密度检测组件测试待测产品，以获取沟槽结构的顶视图像，根据顶视图像确定待测产品的蚀刻缺陷。本公开的蚀刻缺陷检测方法可提高缺陷识别准确率，防止电容因悬空而失效。