简介： 本发明提供一种缺陷检测方法。首先提供一半导体检测件,且该半导体检测件中包括至少一缺陷,然后利用一失效分析(FA)技术,于该半导体检测件的背面检测出至少一可疑异常区域(suspected area),接着利用一物理能量,于该半导体检测件背面的该可疑异常区域周围形成多个参考标记,最后利用该些参考标记,于该半导体检测件的正面标定出该缺陷的相对位置。